共同通信ニュース
【ニューヨーク共同】米ＩＴ大手ＩＢＭは２５日、回路線幅が１ナノメートル（ナノは１０億分の１）未満の世代に相当する次世代半導体技術を開発したと発表した。０・７ナノメートル世代に相当する技術で、１ナノ未満の半導体技術の発表は「世界初」という。生成人工知能（ＡＩ）の処理性能向上や省電力化につながると期待され、早ければ５年以内の実用化を見込む。
爪ほどの大きさのチップに約１千億個のトランジスタを搭載した。２０２１年に発表した２ナノ半導体と比べ、集積度は約２倍となり、性能は最大５０％向上、電力効率は最大７０％改善できる見通しという。
新たに「ナノスタック」と呼ばれる３次元構造を採用した。垂直に積み重ねたトランジスタを水平方向にずらして配置することで、高密度化を実現したという。
半導体は、集積度が約２年ごとに倍増するという「ムーアの法則」に沿って微細化が進み、性能を高めてきたが、近年は物理的限界が指摘されている。ＩＢＭは今回の技術により、今後少なくとも１０年間は微細化を継続できるとの見通しを示した。
共同通信社提供
Provided by
共同通信社
東京を拠点とする日本を代表する総合国際通信社。自らが取材したニュース、共同通信論説委員室で執筆した社説および一部の加盟社が取材したニュースなどを、加盟社である全国の新聞社とNHK、契約社である民間放送局や一部の新聞社、ネット媒体等に配信。
会社名：株式会社共同通信社所在地：東京都港区東新橋1丁目7番1号汐留メディアタワー
本ホームページに掲載されている事項は、投資判断の参考となる情報の提供を目的としたものであり、投資の勧誘を目的としたものではありません。投資方針、投資タイミング等は、ご自身の責任において判断してください。本サービスの情報に基づいて行った取引のいかなる損失についても、当社は一切の責を負いかねますのでご了承ください。また、当社は、当該情報の正確性および完全性を保証または約束するものでなく、今後、予告なしに内容を変更または廃止する場合があります。なお、当該情報の欠落・誤謬等につきましてもその責を負いかねますのでご了承ください。
