ニュース
経済産業省は１２日、先端半導体の技術開発拠点を北海道千歳市に新設すると発表した。次世代半導体の国産化を目指すラピダスの工場に近接する形で、日本が強みを持つ製造装置や素材といった関連分野の研究を企業や大学の連携により加速させる狙い。２０２９年度の稼働開始を目指す。赤沢亮正経済産業相が１２日の閣議後記者会見で明らかにした。
産業技術総合研究所（産総研）の拠点として設置し、高性能の半導体露光装置を導入する。海外企業との連携も視野に入れる。赤沢氏は「半導体の需要が世界的に高まっており、研究開発を促進する」と述べた。
露光装置は半導体の製造工程で、回路パターンをシリコンウエハーに転写する精密機器。半導体の微細化に欠かせないが、高コスト化も進んでいる。国が研究環境を整備し、産学の共同開発を後押しする構えだ。
ラピダスは米ＩＢＭの技術協力を得て、世界で商用例のない回路線幅が２ナノメートル（ナノは１０億分の１）相当の先端半導体の量産を２７年度後半に始める予定。その後２～３年ごとに、より高性能な製品の量産を計画する。
共同通信社提供
Provided by
共同通信社
東京を拠点とする日本を代表する総合国際通信社。自らが取材したニュース、共同通信論説委員室で執筆した社説および一部の加盟社が取材したニュースなどを、加盟社である全国の新聞社とNHK、契約社である民間放送局や一部の新聞社、ネット媒体等に配信。
本ホームページに掲載されている事項は、投資判断の参考となる情報の提供を目的としたものであり、投資の勧誘を目的としたものではありません。投資方針、投資タイミング等は、ご自身の責任において判断してください。本サービスの情報に基づいて行った取引のいかなる損失についても、当社は一切の責を負いかねますのでご了承ください。また、当社は、当該情報の正確性および完全性を保証または約束するものでなく、今後、予告なしに内容を変更または廃止する場合があります。なお、当該情報の欠落・誤謬等につきましてもその責を負いかねますのでご了承ください。
